各學院（部）⛅️：
為加快構建基礎研究多元化投入機製，引導鼓勵企業增加基礎研究投入，拓寬基礎研究、應用基礎研究與產業化的鏈接通道，上海市科學技術委員會聯合相關企業🚈，共同設立“探索者計劃”👢，現發布2021年度“探索者計劃”項目申報指南。
一🫄🏼、征集範圍
高端醫療裝備領域💁🏽：
專題一、醫學影像裝備基礎材料
方向1🤦🏼、分子影像探測器用新型閃爍晶體
研究目標🤸🏿♀️：發展新型閃爍晶體材料，提升分子影像設備成像質量。
研究內容：面向分子影像探測器的醫療應用需求，開展非潮解🚣🏻♂️、高光輸出😳、高能量分辨率的新型閃爍晶體材料的研製🧰，提出閃爍發光的材料設計和性能調控的新方法，促進分子影像設備的性能提高和技術發展♊️。
執行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。
經費額度：定額資助🔈，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元👨🏿🔬。
專題二🍮、醫學影像前沿成像技術
方向1、顱腦超聲成像技術
研究目標：建立超快顱腦超聲成像方法🧶，在不損失空間分辨率的基礎上，實現超快（<50秒）顱腦超聲成像🕵🏼♂️。
研究內容：圍繞顱內微細血管無創😢、精準、超快成像需求，建立顱腦超聲成像方法🎅🏿，在微米尺度🛶，實現對顱內復雜微細血管的無創、結構與功能成像🗓，並探究異質化肌骨組織超聲傳播性質及界面聲場的耦合效應，揭示復雜肌骨組織中的聲場分布規律♚⛹🏼♂️。
執行期限📲🙅🏿：2021年12月01日至2024年11月30日。
經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。
方向2🤾🏻♂️、基於影像學的心腦血管疾病自動定量分析模型
研究目標🚓：探索基於影像學的心腦血管疾病自動定量分析模型與方法，助力提高精準診療水平。
研究內容：開展基於影像學的冠狀動脈慢性完全閉塞病變的自動定量分析模型研究，實現自動識別慢性完全閉塞病變🌳，對閉塞段長度、鈣化、直徑、曲度和開口形態完成自動測量📇、評估等。
執行期限🔣🏄♂️：2021年12月01日至2024年11月30日👬。
經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。
專題三👨🏿🦲、醫學影像應用基礎研究
方向1、基於超高分辨率分子影像技術的菌群示蹤與監測技術研究
研究目標：建立以超高分辨率分子影像為基礎的菌群示蹤與監測技術體系，為臨床菌群移植的評估方法、評估標準提供支撐。
研究內容🦃：利用全數字超高分辨率PET/CT技術🦸🏿，開展菌群的示蹤成像技術研究🤘🏻，實現精準示蹤菌群的動態在體活性，並結合菌群移植治療，刻畫治療後腸道代謝的變化狀態🧗🏼𓀔，篩選獲得和預後相關的影像標誌物⇨，構建菌群治療的客觀評估體系。
執行期限：2021年12月01日至2024年11月30日🤙🏿。
經費額度𓀉：定額資助☮️，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元🚴。
方向2、基於MRI的肝癌細胞異質性量化方法及中藥改善靶向治療的機製研究
研究目標𓀚：建立肝癌細胞時空異質性的量化方法👳🏿♀️🥟，實現腫瘤時空異質性的無創定量評估。
研究內容：基於MRI和深度學習技術🤲🏿，研究建立預測中藥、常用靶向藥和中藥協同常用靶向藥物治療肝癌療效的預測評價方法。建立肝癌動物模型數據庫和肝癌細胞異質性MRI預測支持系統，開展中藥調控腫瘤信號通路的機製研究。
執行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。
經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度50萬元。
方向3、代謝相關脂肪性肝病（MAFLD）及合並疾病的磁共振定量成像研究
研究目標：瞄準MAFLD疾病進程中肝臟脂肪沉積-炎症-纖維化-肝細胞損傷𓀌，建立MRI量化評估及早期預警模型👙。
研究內容：開展快速、全肝、脂肪精準定量的成像新算法研究，研發MR彈性成像一體化線圈、快速成像技術及新算法，為炎症活動程度🔺、纖維化分期提供技術支撐。研究建立MAFLD及合並疾病譜的無創性診斷🏋🏿♀️、風險分層、疾病監測的綜合模型。
執行期限🦫：2021年12月01日至2024年11月30日⤴️。
經費額度：定額資助🚤，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元👩🏿。
方向4、基於腦儲備理論模型的腦小血管病的神經影像學機製研究
研究目標：從腦損傷和腦儲備角度出發♛🤙🏼，全面揭示腦小血管病的神經影像學機製🍳，明確腦儲備功能在疾病發生🙇、發展中的作用和地位🧑🏽🚀。
研究內容：研究建立基於多模態、多特征的結構和功能網絡👩🏼🦳，提取並分析不少於15個多維度腦網絡拓撲學特征🧑🏻🦽👩👧👧。探索基於假設驅動和數據驅動的方法，開展腦小血管疾病智能化診斷技術基礎模型研究。
執行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。
經費額度：定額資助👩🏻💼🐱，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元🧔🏼♂️。
集成電路領域：
專題四、集成電路前瞻性研究
方向1、全包圍環柵納米線隧穿晶體管研究
研究目標🤽🏽：基於納米線隧穿晶體管（GAATFET）特有的隧穿機製，研發可量產的關鍵低缺陷工藝模塊🏀，建立晶體管集約物理模型，形成關鍵技術的自主知識產權。
研究內容：探究結構參數、摻雜分布💇🏼♂️、陷阱等對GAATFET開態電流、亞閾值擺幅等關鍵特性的影響，求解溝道內三維電場及電勢分布，建立GAATFET基於表面勢的IV及CV物理集約模型🤙🏼，獲得飽和驅動電流和亞閾值擺幅等特性的依賴關系。基於TCAD三維工藝仿真和先進量產工藝技術開發GAATFET低缺陷關鍵工藝及模塊，包括源漏摻雜、界面態技術及納米線刻蝕等，探索兼容CMOS工藝的GAATFET成套工藝流程📚。
執行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。
經費額度🌐：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元🤷🏻。
方向2、納米級三維器件結構中新材料工藝的電學特性表征機理研究
研究目標：針對先進CMOS技術中三維結構對精準測控High-Kmetalgate（HKMG）等新材料電學特性的需求，開發納米級分辨的局域電導、功函數等測量技術，實現對FinFET結構內部電子學特性的表征。
研究內容：基於電學模式掃描探針顯微方法🧑🧒，開發TiN/HfO等材料功函數的低噪聲測量方案🌦，研究不同工藝條件材料功函數與器件效能的關聯機製🚶🏻♀️。建立針對三維FinFET結構的極限分辨分布電阻測量模式，在空間分辨率和測量精度兩方面滿足先進CMOS製程中柵極和源漏材料工藝研發的要求。
執行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。
經費額度🌤🫶🏼：定額資助👀，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。
方向3、微納電子原子級TCAD仿真工具研究
研究目標：發展基於高度局域化且最小完備基組的第一性原理量子輸運計算方法🙆🏿♀️，實現高精度的大尺度器件性能模擬。
研究內容：研究第一性原理量子輸運計算方法💠，結合先進數值並行計算實現高精度的大尺度器件性能模擬📗。進行高精度分子動力學和蒙特卡洛在較大空間/時間尺度上的半導體工藝仿真👩🏻🏭，建立半導體核心工藝的高精度勢能數據庫🌔。建立原子級半導體工藝和性能的TCAD仿真計算技術平臺，具有第一性原理方法計算精度🚣🏽。
執行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。
經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目😼，每項資助額度100萬元。
專題五🤾🏼♀️、新型存儲器與存算一體研究
方向1、低功耗存算一體SRAM存儲器設計
研究目標：探索基於SRAM的新一代低功耗存算一體存儲器架構😂，提高性能功耗比🪁，實現高速低功耗存儲與計算🧑🏿🎨。
研究內容：結合FDSOI工藝超低功耗和高性能特性🧑🏽🔬，研究開發基於SRAM的新一代低功耗存算一體存儲器架構，建立人工智能算法的硬件映射方法🧜🏼♂️，提升單位容量的吞吐率和MNIST數據集準確率，並可應用於多種先進工藝節點👩🏿🔬。研究開發新型存算一體SRAM存儲器🏋🏽♀️，提高人工智能算法數據計算及模型訓練速率🧼，探索其在圖像識別與智能物聯網方面的應用🪶。
執行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。
經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目，每項資助額度100萬元。
方向2🚵🏽♂️、面向憶阻器件與工藝亞穩態特性的AI芯片設計方法學研究
研究目標：探索跨器件-架構-算法的RRAM軟硬協同設計方法🐒，形成基於亞穩態器件構建高魯棒人工智能（AI）算法的近似計算理論，解決RRAM工藝亞穩態效應下AI計算誤差問題🕹。
研究內容：構建RRAM器件工藝亞穩態特性對AI計算精度的解析模型🩰🤼♂️，探索基於該模型的跨層次軟硬協同方法，形成一套近似計算理論，基於該理論構建的AI芯片具有較高的MNIST識別準確率和CIFAR-10識別準確率。
執行期限😮💨🧏🏽：2021年12月01日至2024年11月30日✋🏽。
經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目🛀🏻，每項資助額度100萬元。
專題六、先進傳感和功率器件研究
方向1、新原理主動像素傳感器研究
研究目標🗝：發展基於FDSOI襯底的新原理單管CMOS圖像傳感器（CIS）主動像素單元，提高CIS量子效率和集成密度，達到國際先進水平並可進一步提升🧜🏽♂️。
研究內容：基於器件物理原理，結合FDSOI襯底深耗盡及界面耦合效應，設計具有單管結構的高密度新型像素單元。基於先進FDSOI工藝平臺開發版圖與工藝製備流程並驗證原型器件。研究優化其設計參數對性能的調控規律,驗證像素尺寸🧏♂️、靈敏度🛺、暗電流及阱容量等指標達到國際先進水平並實現8×8小型像素陣列💂🏻♀️。研究陣列像素間的串擾受結構參數的影響規律和改善技術。
執行期限🌗：2021年12月01日至2024年11月30日。
經費額度😴：定額資助⬇️🤹🏽，擬支持不超過1個項目🎧，每項資助額度100萬元。
方向2、高分辨率dTOF傳感器研究
研究目標🎳：探索基於SPAD陣列的dTOF傳感器設計與工藝🫵🏽。
研究內容😾：研究開發具有新型結構的SPAD像素器件🦹🏼♀️，優化SPAD像素性能，提高SPAD光子探測效率，探索實現SPAD陣列與傳統邏輯電路的3D集成工藝，研發具有較高分辨率、優異性能的dTOF整體解決方案👩👧👦。
執行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。
經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目😮，每項資助額度100萬元。
方向3👵🏻🦸🏽、功率芯片能量輸運機理和高導低阻熱界面材料
研究目標：探索跨時🧵、空尺度耦合下的功率芯片產熱傳熱機理，建立描述熱、電輸運的統一模型🧖🏼♀️，開發新型高導低阻熱界面材料。
研究內容：研究飛秒/納秒尺度下多載流子耦合及非平衡-平衡輸運過程對功率芯片微觀產熱過程的影響機製⛵️。探究高能流密度條件下跨時✂️、空尺度能量輸運隨尺寸、形狀🧜🏽♀️、外加電壓等變化的規律。探究功率芯片中多重界面對載流子輸運的影響規律，建立熱、電輸運統一模型。開發具有優異散熱性能的新型高導低阻熱界面材料。
執行期限🕙：2021年12月01日至2024年11月30日。
經費額度：定額資助，擬支持不超過1個項目👩🏭，每項資助額度100萬元🫨🤦🏽♂️。
專題七、毫米波器件研究
方向1、基於傳輸線理論的片上集成互連結構與元件模型和建模方法
研究目標：革新射頻芯片(RFIC)原理圖和版圖設計流程，實現基於矽基片上傳輸線解析建模的RFIC設計🧝🏼♂️。
研究內容🐲：基於65nmRFSOI或者0.18μmSiGeRF工藝🧑🏼💼🏩，通過工藝襯底和介質損耗模型、基於傳輸線理論的片上集成互連結構（如微帶線、傳輸線等）🛠、元件模型和建模方法研究🦡🤜🏼，建立可參考頻率分布特性的射頻工藝互連結構模型庫和矽基片上傳輸線解析建模的RFIC設計流程💂🏼，形成EDA環境下PDK一套👝，集成不少於10個傳輸線模型🚣♀️。
執行期限：2021年12月01日至2024年11月30日🙋🏻♀️。
經費額度：定額資助👇，擬支持不超過1個項目🫙，每項資助額度100萬元🍦👾。
方向2🤸🏻♀️、高效率矽基毫米波通信相控陣研究
研究目標🔏：探索片上相控陣高效率拓撲結構，為開發矽基相控陣芯片提供支撐👨❤️💋👨。
研究內容🤚🏼：基於矽基SiGe及SOI射頻工藝製程的低噪聲🆙🧑🦽➡️、低損耗🧑🏼🚀、高截止頻率和高品質無源器件等技術特點👳🏼♀️，進行片上相控陣高效率拓撲研究🧜🏻♂️🧪，開發高效率矽基毫米波通信77GHz相控陣模組。
執行期限：2021年12月01日至2024年11月30日💂。
經費額度：定額資助🫱，擬支持不超過1個項目🧖🏻，每項資助額度100萬元。
方向3、CMOS核心器件毫米波太赫茲建模及典型IP設計
研究目標：探索CMOS核心器件毫米波段輸運機製及寄生效應，建立毫米波太赫茲有源/無源器件模型，優化典型IP設計🎤。
研究內容：研究先進CMOS工藝平臺核心器件在毫米波段的物理機製，分析截止頻率及最高振蕩頻率等FOM值對器件結構及關鍵物理參數的依賴關系✋🏿。研究毫米波段下寄生效應引入機製及存在形態，建立晶體管毫米波太赫茲物理模型。發展毫米波段精準去嵌及測試技術和完整的模型參數提取方法，達到產業標準的器件擬合精度和關鍵頻點精度，優化低噪聲放大器等典型IP設計👧🏿。
執行期限：2021年12月01日至2024年11月30日。
經費額度🎅🏿：定額資助，擬支持不超過1個項目🚵🏽，每項資助額度100萬元。
二、申報要求
除滿足前述相應條件外，還須遵循以下要求：
1.項目申報單位應當是註冊在本市的法人或非法人組織，具有組織項目實施的相應能力。
2.研究內容已經獲得財政資金支持的👲🏻，不得重復申報。
3.所有申報單位和項目參與人應遵守科研倫理準則，遵守人類遺傳資源管理相關法規和病原微生物實驗室生物安全管理相關規定，符合科研誠信管理要求。項目負責人應承諾所提交材料真實性，申報單位應當對申請人的申請資格負責，並對申請材料的真實性和完整性進行審核💂🏿♂️，不得提交有涉密內容的項目申請🤷🏿♂️。
4.申報項目若提出回避專家申請的，須在提交項目可行性方案的同時，上傳由申報單位出具公函提出回避專家名單與理由🎱。
5.已作為項目負責人承擔市科委科技計劃在研項目2項及以上者，不得作為項目負責人申報。
6.項目經費預算編製應當真實、合理，符合市科委科技計劃項目經費管理的有關要求🤞。
7.各研究方向同一法人或非法人組織限報1項👰🏼♂️。
8.申請人在申請前應向聯合資助方了解相關項目的需求背景和要求🥵。高端醫療裝備領域（專題1-專題3），請聯系康女士💔，聯系電話15000500752👱🏼👽；集成電路領域（專題4-專題7）👨🏼⚕️，請聯系任先生💂🏿❎，聯系電話13817606447。
9.申請項目評審通過後👚，申請人及所在單位將收到簽訂“探索者計劃資助項目協議書”的通知🔗。申請人接到通知後🤸🏻♀️，應當及時與聯合資助方聯系，在通知規定的時間內完成協議書簽訂工作👷🏽♂️。
三🤷、申報方式
1.項目申報采用網上申報方式，無需送交紙質材料。申請人通過“中國上海”門戶網站（http://www.sh.gov.cn）--政務服務--點擊“上海市財政科技投入信息管理平臺”進入申報頁面➿💱，或者直接通過域名http://czkj.sheic.org.cn/進入申報頁面：
【初次填寫】使用申報賬號登錄系統（註冊時本校的學校代碼為42503614-8）👩🍳，轉入申報指南頁面，點擊相應的指南專題後🌊，按提示完成“上海科技”用戶賬號綁定，再進行項目申報；
【繼續填寫】登錄已註冊申報賬號𓀜、密碼後繼續該項目的填報。
2.項目網上（http://u.stcsm.sh.gov.cn/）填報起始時間為2021年9月22日9:00，截止時間（含申報單位網上審核提交）為2021年10月14日16:30。
四🦹🏿、本校安排
1.本項目為限項申報：各研究方向限報1項。
2.請依托本校申報的教師於2021年10月7日16:00前完成網上填報工作，逾期視為放棄。如研究方向超限👩🏼🍼，科技發展研究院將組織校內遴選😿，遴選時間另行安排。
聯系人：黃凱 詹偉
聯系電話🧑🏽💻：55274272
科技發展研究院
2021年9月15日
